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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
16.2
写入速度,GB/s
10.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3148
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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