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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
119
左右 79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
1.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
2.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
119
读取速度,GB/s
16.1
1.8
写入速度,GB/s
10.1
2.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
447
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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