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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
16.1
14.6
写入速度,GB/s
10.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2560
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Lenovo 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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