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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
16.1
14.6
写入速度,GB/s
10.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2560
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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