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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston XJ69DF-MIE 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
16.3
写入速度,GB/s
10.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3117
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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