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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
11.4
写入速度,GB/s
10.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2371
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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