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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
9.8
写入速度,GB/s
10.1
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2220
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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