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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
16.1
15.1
写入速度,GB/s
10.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2631
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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