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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
16.1
10.8
写入速度,GB/s
10.1
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2416
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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