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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
58
读取速度,GB/s
16.1
17.7
写入速度,GB/s
10.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1968
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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