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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
43
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
19
读取速度,GB/s
14.9
19.9
写入速度,GB/s
9.6
18.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3834
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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