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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 61
    左右 30% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB 需要考虑的原因
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 61
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2089

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较

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Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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