RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
18.2
写入速度,GB/s
9.6
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3353
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
报告一个错误
×
Bug description
Source link