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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 43
    左右 -48% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.7 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 11.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3155

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-069.A00LF 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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内存RAM
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