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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
14.9
19.2
写入速度,GB/s
9.6
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2674
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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