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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
16.8
写入速度,GB/s
10.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2990
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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