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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
14.9
13.8
写入速度,GB/s
9.6
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2755
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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