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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
14.9
14.8
写入速度,GB/s
9.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2826
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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