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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
14.5
写入速度,GB/s
9.6
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2839
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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