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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
9.3
18.2
写入速度,GB/s
5.9
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3533
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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