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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
16.5
写入速度,GB/s
9.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3447
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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