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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
14.9
20.7
写入速度,GB/s
9.6
16.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3768
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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