Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

总分

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

差异规格评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

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低于PassMark测试中的延时，ns

27 43

左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度，GB/s

21.8 14.9

测试中的平均数值
更快的写入速度，GB/s

17.2 9.6

测试中的平均数值
更高的内存带宽，mbps

17000 12800

左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

主要特点

存储器类型

DDR3 DDR4
PassMark中的延时，ns

43 27
读取速度，GB/s

14.9 21.8
写入速度，GB/s

9.6 17.2
内存带宽，mbps

12800 17000

Other

描述

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)

2506 3788

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

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Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

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Kingston KHX426C13/8G 8GB

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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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