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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.4
15.8
写入速度,GB/s
8.4
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
2865
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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