RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 43
    左右 -39% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 10.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2408

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
内存RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
内存RAM