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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3159
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
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