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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
70
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
70
读取速度,GB/s
14.9
16.1
写入速度,GB/s
9.6
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1838
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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