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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2408
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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