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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
9.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3246
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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