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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
14.9
15.4
写入速度,GB/s
9.6
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2458
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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