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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
13.6
写入速度,GB/s
9.6
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2891
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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