Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

总分

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

差异规格评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

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低于PassMark测试中的延时，ns

26 43

左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度，GB/s

19.4 14.9

测试中的平均数值
更快的写入速度，GB/s

15.6 9.6

测试中的平均数值
更高的内存带宽，mbps

17000 12800

左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

主要特点

存储器类型

DDR3 DDR4
PassMark中的延时，ns

43 26
读取速度，GB/s

14.9 19.4
写入速度，GB/s

9.6 15.6
内存带宽，mbps

12800 17000

Other

描述

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)

2506 3756

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB

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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

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SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

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Kingston KWTHG4-MIE 16GB

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

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