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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 46% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
46
读取速度,GB/s
13.8
15.9
写入速度,GB/s
8.2
12.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2936
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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