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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
75
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
75
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.6
6.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1548
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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