RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
75
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
75
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1548
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link