RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
75
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
75
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1548
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link