RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
75
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
75
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1548
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link