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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB 需要考虑的原因
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 43
    左右 -23% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2487

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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内存RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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内存RAM
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
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Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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