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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KHX21334D4/8G 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.9
11.2
写入速度,GB/s
9.6
6.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1914
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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