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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
9.6
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2989
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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