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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
43
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
41
读取速度,GB/s
14.9
7.7
写入速度,GB/s
9.6
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1855
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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