Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

总分

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

差异规格评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

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低于PassMark测试中的延时，ns

20 43

左右 -115% 更低的延时
更快的读取速度，GB/s

18.9 14.9

测试中的平均数值
更快的写入速度，GB/s

15.0 9.6

测试中的平均数值
更高的内存带宽，mbps

17000 12800

左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

主要特点

存储器类型

DDR3 DDR4
PassMark中的延时，ns

43 20
读取速度，GB/s

14.9 18.9
写入速度，GB/s

9.6 15.0
内存带宽，mbps

12800 17000

Other

描述

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)

2506 3230

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

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Kingston 9905703-008.A00G 16GB

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

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AMD R748G2400S2S 8GB

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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

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Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

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