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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
14.9
19.7
写入速度,GB/s
9.6
17.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3842
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
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