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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
13.4
16.2
写入速度,GB/s
12.1
14.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3166
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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