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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 43
    左右 -59% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.9 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.1 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 19.9
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 17.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3829

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
内存RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
内存RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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