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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
14.9
17.7
写入速度,GB/s
9.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2818
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
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