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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
47
读取速度,GB/s
14.9
10.0
写入速度,GB/s
9.6
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2308
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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