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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 57
    左右 25% 更低的延时
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 57
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 19.1
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2377

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAM的比较

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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内存RAM
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Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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内存RAM
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