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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
56
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
56
读取速度,GB/s
14.9
10.1
写入速度,GB/s
9.6
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2307
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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