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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
14.9
16.0
写入速度,GB/s
9.6
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3127
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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