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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
17.1
写入速度,GB/s
9.6
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3110
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
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