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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
12.3
19.2
写入速度,GB/s
8.9
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3256
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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