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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
17.2
写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3425
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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